Сонячні батареї нового покоління можуть з’явитися найближчим часом

Побудована з нанорозмірних кристалів напівпровідника, площа поверхні фотоелемента збільшиться, при цьому вартість виробництва такого елемента буде нижче, ніж у звичайних, створених за допомогою літографічних методів.

Перехід між двома типами напівпровідників повинен забезпечувати їх максимальний контакт. Інженери прийшли до висновку, що в сонячних батареях нового покоління гетеропереходи між n-і p-типами напівпровідників повинні відбуватися хімічним шляхом. Отримані раніше бінарні сферичні нанокристали характеризувалися низьким коефіцієнтом корисної дії. Групі інженерів під керівництвом Мінюн Хана вдалося вирішити цю проблему: композитний матеріал вони синтезували за іншим методом.

Вчені впевнені, що винайдена ними структура нанопереходів може використовуватися не тільки при виробництві фотоелементів, але й в інших областях для синтезу різних напівпровідникових пар. Цей винахід фактично є кроком до створення сонячних батарей нового покоління, побудованих на основі нанотехнологій.