Как избежать потерь энергии в процессе преобразования солнечной энергии в электрическую – на этот вопрос нашла ответ группа инженеров под руководством Минюн Хана (Mingyong Han) из Сингапура. Ученые нашли способ создания наноразмерных гетеропереходов в фотоэлементах, которые позволят избежать рекомбинации свободных зарядов, то есть предотвратить образование «дырок» на солнечной батарее, сообщает chemport.ru.
Построенная из наноразмерных кристаллов полупроводника, площадь поверхности фотоэлемента увеличится, при этом стоимость производства такого элемента будет ниже, чем у обычных, созданных при помощи литографических методов.
Переход между двумя типами полупроводников должен обеспечивать их максимальный контакт. Инженеры пришли в выводу, что в солнечных батареях нового поколения гетеропереходы между n- и p-типами полупроводников должны происходить химическим путем. Полученные ранее бинарные сферические нанокристалы характеризовались низким коэффициентом полезного действия. Группе инженеров под руководством Минюн Хана удалось решить эту проблему: композитный материал они синтезировали по другому методу.
Ученые уверенны, что изобретенная ими структура нанопереходов может использоваться не только в производстве фотоэлементов, но и в других областях для синтеза различных полупроводниковых пар. Это изобретение фактически является шагом к созданию солнечных батарей нового поколения, построенных на основе нанотехнологий.